11月2日，美國(guó)馬薩諸塞大學(xué)安姆斯特分校副教授Qiangfei Xia來(lái)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所訪問(wèn)交流，并作了題為Memristive Nanodevices and Arrays for Brain-inspired Computing and Beyond的學(xué)術(shù)報(bào)告。微電子所研究員、中科院院士劉明主持交流會(huì)。來(lái)自全所各部門(mén)的40余名科研人員、研究生參加了會(huì)議。

　　憶阻器（電阻轉(zhuǎn)變）是一種新興的納米電子器件，采用電阻態(tài)來(lái)表示0和1或模擬信息。報(bào)告中，Xia介紹了其所在課題組近期制備的基于HfO2和SiO2的2納米尺度和8層疊加的高性能憶阻器件和陣列，展示了大憶阻器陣列（128*64）集成。該集成可作為多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于模擬信號(hào)/圖像處理和機(jī)器學(xué)習(xí)。Xia還簡(jiǎn)要介紹了憶阻器突觸和神經(jīng)模擬器，講解了如射頻開(kāi)關(guān)和真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器等憶阻器應(yīng)用案例。與會(huì)人員與Xia就憶阻器、人工智能等領(lǐng)域進(jìn)行了深入交流。

　　Xia現(xiàn)任美國(guó)馬薩諸塞大學(xué)阿默斯特分校電子與計(jì)算機(jī)工程系副教授，IEEE和SPIE高級(jí)會(huì)員，研究領(lǐng)域包括后CMOS納米器件、器件物理、納米集成系統(tǒng)、納米技術(shù)、及其應(yīng)用，曾獲DARPA青年學(xué)者獎(jiǎng)，NSF CAREER獎(jiǎng)，Barbara H. - Joseph I. Goldstein優(yōu)秀青年教師獎(jiǎng)。