6月9日，韓國浦項科技大學(xué)教授Hyunsang Hwang來中國科學(xué)院微電子研究所進行學(xué)術(shù)交流，并作了題為Analog synapse devices based on interface resistive switching for neuromorphic system的學(xué)術(shù)報告。微電子所研究員、中科院院士劉明主持會議。相關(guān)部門科研人員、研究生共40余人參加了交流會。

　　Hyunsang Hwang在報告中介紹了在神經(jīng)元系統(tǒng)中的基于界面電阻轉(zhuǎn)變的突觸模擬器件。其所在課題組利用在金屬/氧化物界面的氧化還原反應(yīng)開發(fā)了突觸模擬器件。與細絲性阻變器件相比，界面電阻轉(zhuǎn)變器件具有良好的一致性和轉(zhuǎn)變區(qū)域可伸縮性等特點。通過控制金屬電極的氧化反應(yīng)和阻變層中的氧濃度，可以調(diào)節(jié)不同狀態(tài)下的電導(dǎo)。課題組制備的高密度突觸陣列器件具有良好的電阻轉(zhuǎn)變一致性。通過調(diào)節(jié)電導(dǎo)變化的線性度和對稱性，可以確定手寫數(shù)字模式識別的準(zhǔn)確性。課題組還發(fā)現(xiàn)具有線性和對稱性電導(dǎo)變化的突觸器件可以提高模式識別的精度。與會人員就阻變存儲器、神經(jīng)元突觸等領(lǐng)域與Hyunsang Hwang進行了熱烈的學(xué)術(shù)討論。

　　Hyunsang Hwang現(xiàn)任韓國浦項科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院院士、IEEE電子器件學(xué)會的高級會員，研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及工藝，發(fā)表期刊論文330篇，申請專利120項。